|
|
4.2
Расчет
схемы компенсационного стабилизатора
Порядок расчетов приводится
в соответствии с методикой приведенной в [2].
Согласно схеме (рис 3.1)
находим наименьшее напряжение на выходе стабилизатора:
U вх min = Uн + Uкз min = 15 + 3 = 18 B, (4.1)
где Uкз min – минимальное напряжение на регулирующем транзисторе VT3.
Исходя из того, что VT3 предположительно кремневый, то Uкз min выбираем в пределе 3..5 В.
Учитывая нестабильность входного напряжения на входе стабилизатора
±10%, находим среднее и
максимальное напряжение на входе стабилизатора:
U вх сер = U вх min / 0.9 = 18 / 0.9 = 20 В , (4.2)
U вх max = 1.1 ´ U вх сер = 1.1 ´ 20 = 22 В . (4.3)
Определяем максимальное
значение на регулирующем транзисторе
U к3 max = U вх max - Uн = 22 – 15 = 7 В . (4.4)
Мощность, которая
рассеивается на коллекторе транзистора VT3, равняется
Р3 = Uк3 max ´ Iн = 7 ´ 5 = 35 Вт. (4.5)
По полученным значениям Uк3 max , Iн , Р3 выбираем тип
регулирующего транзистора и выписываем его параметры:
Марка транзистора
|
2Т827В
|
Тип транзистора
|
NPN
|
Допустимый ток коллектора, Iк доп
|
20 А
|
Доп. напряжение коллектор-эмиттер,
Uк доп
|
100 В
|
Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред
|
125 Вт
|
Минимальный
коэф. передачи тока базы, h21Э3 min
|
750
|
По статическим ВАХ
выбранного транзистора находим:
h11Э3 = 33.0 Ом ,
m3 = 1 / h12Э3 = 1 / 0.23 = 4.20 ,
где h11Э3 – входное сопротивление
транзистора, Ом; m3 – коэффициент передачи напряжения; h12Э3 – коэффициент обратной
связи.
Находим ток базы транзистора
VT3
IБ3 = Iн / h21Э3 min = 5 / 750 = 6.67´10-3 А . (4.6)
Определяем начальные данные
для выбора транзистора VT2.
Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер VT2
Uк2 max = Uк3 max - Uбэ3 = 7 – 0.7 = 6.3 В
, (4.7)
где Uбэ3 – падение напряжения на
эмиттерном переходе транзистора VT3 (0.7 В).
Ток коллектора VT2 состоит из тока базы VT3 и тока потерь, который протекает
через резистор R3,
Iк2 = Iб3 + IR3 = 5´10-4 + 6.7´10-3 = 7.2´10-3 А. (4.8)
Мощность, рассеиваемая на
коллекторе транзистора VT2,
равняется
Р2 = Iк2 ´ Uк2 max = 7.2´10-3 ´ 6.3 = 45.2´10-3 Вт. (4.9)
По полученным значениям Uк2 max , Iк2 , Р2 выбираем тип
транзистора и выписываем его параметры:
Марка транзистора
|
2Т603Б
|
Тип транзистора
|
NPN
|
Допустимый ток коллектора, Iк доп
|
300 мА
|
Доп. напряжение коллектор-эмиттер,
Uк доп
|
30 В
|
Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред
|
0.5 Вт
|
Минимальный
коэф. передачи тока базы, h21Э2 min
|
60
|
По статическим ВАХ
выбранного транзистора находим:
h11Э2 = 36.36 Ом ,
m3 = 1 / h12Э2 = 1 / 0.022 = 45.45 .
Рассчитываем ток базы VT2
IБ2 = Iк2 / h21Э2 min = 7.2´10-3 / 60 = 1.2´10-4 А.
(4.10)
Находим сопротивление резистора
R3
R3 = (Uн + Uбэ3) / IR3 = (15 + 0.7) / 5´10-4 =31400 Ом.
(4.11)
Выбираем ближайший по
стандарту номинал с учетом рассеиваемой на резисторе мощности
РR3 = (Uн + Uбэ3) ´ IR3 = (15 + 0.7) ´ 5´10-4 = 7.85´10-3 Вт. (4.12)
В соответствии с рядом Е24
выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 33 кОм ±5%.
Источником эталонного
напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремневом стабилитроне
VD2 из расчета
UVD2 = 0.7 Uн = 0.7 ´ 15 = 13.5 В.
(4.13)
Выбираем тип стабилитрона и выписываем
его основные параметры:
стабилитрон 2С213Б;
I VD2 = 5´10-3 А – средний
ток стабилизации;
r VD2 = 25 Ом – дифференциальное
сопротивление стабилитрона.
Вычисляем сопротивление
резистора R4, задавши средний ток
стабилитрона (I R4
= I VD2)
R4 = 0.3 Uн / I R4 = 0.3 ´ 15 / 5´10-3 = 900 Ом. (4.14)
Мощность, рассеиваемая на резисторе R4, равняется
РR4 =0.3Uн ´ I R4 = 0.3´15´ 5´10-3 = 22.5´10-3 Вт.
(4.15)
В соответствии с рядом Е24 выбираем
резистор типа МЛТ- 0.125 910 Ом ±5%.
Определяем начальные данные
для выбора транзистора VT4.
Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора
Uк4max = Uн + Uбэ3 + Uбэ2 - UVD2 = 2.90 В
(4.16)
Задаем ток коллектора VT4 меньшим нежили средний стабилитронаVD2
I К4 = 4´10-3 А .
Мощность, рассеиваемая на коллекторе
транзистора VT4
Р2 = Iк4 ´ Uк4 max = 4´10-3 ´ 2.90 = 11.6´10-3 Вт (4.17)
По полученным значениям Uк4 max , Iк4 , Р4 выбираем тип транзистора и
выписываем его параметры:
Марка транзистора
Страницы: 1, 2
|
|
2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная
ссылка на источник обязательна.