Рефераты. Усилитель мощности






Технологический процесс получения ДПП комбинированным позитивным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, нанесение защитной лаковой плёнки, сверление отверстий и их химическое меднение, удаление защитной лаковой плёнки, электролитическое меднение отверстий и проводников, нанесение кислостойких сплавов, удаление фоторезиста, химическое травление фольги с пробельных мест, осветление проводящих покрытий, механическая обработка контура печатной платы.

В том случае, если ДПП не удовлетворяет требованиям, в частности не позволяет разместить большое число навесных элементов из-за малого объёма, применяют многослойные печатные платы (МПП).

Известно несколько способов изготовления МПП, однако все они имеют недостатки: большую стоимость и длительность проектирования, значительные затраты времени на изготовление, на налаживание производства, трудности внесения изменений.

Исходным документом при конструировании печатных плат является принципиальная электрическая схема. Для одной принципиальной схемы можно построить несколько вариантов топологии печатной платы, т.е. печатного монтажа.

 

 

 

 

10. СПЕЦИФИКАЦИЯ

 

10.1. Резисторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R28, R29,R30, R31, R32, R33, R34, R35, R41, R42, R43

МЛТ-0,125

35

R26, R39

МЛТ-0,25

2

R25, R36, R37, R38, R40

МЛТ-0,5

5

R27

МЛТ-1

1

R44

СП3-13

1

 

10.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

C3, C8, C11

К53-1

3

C16, C17

К50-12

2

C1, C2, C4, C5, C6, C7, C9, C10, C12, C13, C14, C15, C18, C19

К50-16

14

 

10.3. Транзисторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

VT1

КТ301Б

1

VT2, VT3, VT5, VT6, VT7, VT8

КТ315Б

6

VT4

КТ340Б

1

VT11

КТ814Б

1

VT10

КТ815Б

1

VT12, VT13

КТ817Б

2

VT9

КТ961Б

1


10.4. Стабилитроны

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

VD1

КС515Г

1

VD2

КС212Ж

1

VD3

КС191С

1








11. КАРТА РЕЖИМОВ

 

11.1. Резисторы

Позиционное обозначение

Напряжение, В

Ток, А

Мощность, Вт

Номинальное сопротивление, Ом

Тип

R1

0.0179

0.000066

0.000001187

270

МЛТ-0,125

R2

0.0869

0.000054

0.0000047

1600

МЛТ-0,125

R3

13.55

0.0024

0.033

5600

МЛТ-0,125

R4

1.38

0.00203

0.0028

680

МЛТ-0,125

R5

12.13

0.00404

0.049

3000

МЛТ-0,125

R6

0.8

0.00444

0.0036

180

МЛТ-0,125

R7

0.71

0.0000866

0.00006

8200

МЛТ-0,125

R8

11.29

0.0000868

0.00098

130000

МЛТ-0,125

R9

0.0084

0.00000008

0.000000007

10000

МЛТ-0,125

R10

9.88

0.0021

0.021

4700

МЛТ-0,125

R11

0.0842

0.000077

0.00000645

1100

МЛТ-0,125

R12

1.499

0.000062

0.000097

24000

МЛТ-0,125

R13

10.285

0.0000935

0.00096

110000

МЛТ-0,125

R14

1.3

0.000072

0.000094

18000

МЛТ-0,125

R15

6.842

0.00311

0.0213

2200

МЛТ-0,125

R16

0.626

0.00313

0.00196

200

МЛТ-0,125

R17

2.627

0.000164

0.00043

16000

МЛТ-0,125

R18

6.473

0.000155

0.0004

43000

МЛТ-0,125

R19

0.0155

0.0000015

0.000000024

10000

МЛТ-0,125

R20

5.057

0.00389

0.0197

1300

МЛТ-0,125

R21

2.4255

0.000475

0.00115

5100

МЛТ-0,125

R22

6.6745

0.000445

0.00297

15000

МЛТ-0,125

R23

0.0445

0.00000445

0.000000198

10000

МЛТ-0,125

R24

5.23

0.01113

0.0582

470

МЛТ-0,125

R25

30

0.01

0.3

3000

МЛТ-0,5

R26

33

0.006

0.195

5600

МЛТ-0,25

R27

35.9

0.01908

0.716

1800

МЛТ-1

R28

1.32

0.0066

0.0087

200

МЛТ-0,125

R29

10.668

0.0067

0.07113

1600

МЛТ-0,125

R30

1.365

0.0015

0.00205

910

МЛТ-0,125

R31

2.145

0.00165

0.00354

1300

МЛТ-0,125

R32

2.4

0.015

0.036

160

МЛТ-0,125

R33

0.40452

0.02023

0.00818

20

МЛТ-0,125

R34

19.8

0.00165

0.03267

12000

МЛТ-0,125

R35

4.01516

0.02008

0.08061

200

МЛТ-0,125

R36

24.091

0.02008

0.48364

1200

МЛТ-0,5

R37

2.46683

0.13705

0.33807

18

МЛТ-0,5

R38

0.73388

0.40771

0.29921

1,8

МЛТ-0,5

R39

1.91865

0.10659

0.20451

18

МЛТ-0,25

R40

0.7766

0.43144

0.33506

1,8

МЛТ-0,5

R41

0.04

0.0018

0.000073

22

МЛТ-0,125

R42

0.366

0.001525

0.00056

240

МЛТ-0,125

R43

1.782

0.0002376

0.00042

7500

МЛТ-0,125

R44

2.043

0.001857

0.0038

1100

СП3-1

 

11.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение

Ёмкость, мкФ

Расчетное напряжение, В

Тип

Номинальное напряжение, В

C1

220

1,49

К50-16

6.3

C2

150

0,18

К50-16

6.3

C3

0,33

8,41

К53-1

10

C4

150

1,41

К50-16

6.3

C5

47

9,88

К50-16

10

C6

47

3,858

К50-16

6.3

C7

150

0,624

К50-16

6.3

C8

0,33

1,3

К53-1

6.3

C9

100

1,416

К50-16

6.3

C10

47

5,057

К50-16

6.3

C11

0,68

6,63

К53-1

10

C12

100

1,44

К50-16

6.3

C13

330

5,23

К50-16

6.3

C14

330

1,365

К50-16

6.3

C15

47

2,4

К50-16

6.3

C16

3300

3,51

К50-12

6.3

C17

2200

0,40452

К50-12

6.3

C18

220

40,98484

К50-16

50

C19

330

20,0824

К50-16

25

 

11.3. Транзисторы

Позиционное

обозначение

Uкэ, В

Uбэ, В

Iк, А

Iб, А

P, Вт

Тип

VT1

2.15

0.7

0.004034

0.0004034

0.009

КТ301Б

VT2

1.42

0.7

0.0000422

0.0000008

0.00006

КТ315Б

VT3

2.12

0.7

0.002108

0.0000422

0.0045

КТ315Б

VT4

4.54

0.7

0.031

0.0000312

0.014

КТ340Б

VT5

3.343

0.7

0.000076

0.0000016

0.00026

КТ315Б

VT6

4.043

0.7

0.00388

0.0000776

0.0157

КТ315Б

VT7

3.17

0.7

0.000227

0.0000045

0.00072

КТ315Б

VT8

3.87

0.7

0.1135

0.000227

0.0439

КТ315Б

VT9

20.559

0.7

0.015

0.00015

0.30838

КТ961Б

VT10

20.159

0.7

0.10152

0.005076

2.04646

КТ815Б

VT11

20.159

0.3

0.10152

0.005076

2.04646

КТ814Б

VT12

20.859

0.7

0.38068

0.025379

8.20386

КТ817Б

VT13

20.859

0.7

0.38068

0.025379

8.20386

КТ817Б

 

11.4. Стабилитроны

Позиционное

обозначение

Расчетный ток, мА

Iст min, мА

Iст max, мА

Uст, В

Pст max, Вт

Тип

VD1

10

3

31

15

0.25

КС515Г

VD2

6

0.5

13

12

0.125

КС212Ж

VD3

19.08

3

20

9.1

0.25

КС191С

 

12. Список литературы

1.      Бочаров Л.Н. и др.

Расчёт электронных устройств на транзисторах/ Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф.–М.: Энергия,1978.

2.      Верховцев О.Г., Лютов К.П.

Практические советы мастеру-любителю: Электроника. Электротехника. Материалы и их применение.–3-е изд., перераб. и доп.–С.Пб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербург. Отд-ние, 1991.

3.      Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001.

4.      Московкин Л.Н., Сорокина Н.Н.

Сборка электромеханических и радиотехнических приборов и систем: Учеб. пособ. пля сред. проф.-техн. училищ. – М.: Высш. шк.,1984.

5.      В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

6.      В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 110/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

7.      Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (часть1.Усилители мощности)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень:ТюмИИ,1988.

8.      Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (Расчёт предварительных каскадов)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень: ТюмИИ,1989.

9.      Транзисторы/ Чернышев А.А., Иванов В.И., Галахов В.Д. и др.; под общ. ред. А.А. Чернышева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1980.

 


Страницы: 1, 2, 3



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.