Рефераты. Источник бесперебойного питания мощностью 600 Вт







Вибираємо діоди фірм Fairchild та International Rectifier.






Технічні параметри діодів.                                                    Таблиця 1.6.11

Параметри

Uзв., В

Імакс., А

Ізв., мА

Fмакс., кГц

PSOF107

300

0.3

0.005

40

1N4937

600

1.5

2

150

LL4148

100

0.2

0.005

300

LL414P

60

0.5

0.01

300

MUR860

600

10

20

200

MUR31

800

8

2

10

RUR30100

1000

30

1

300




Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.

В якості контролерів живлення  оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics.




В якості мікросхеми стабілізатора напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics.




Технічні параметри мікросхеми інтегрального стабілізаторів.     Таблиця 1.6.13

Тип

Вхідна напруга,

В

Напруга стабілізації, В

Вихідний струм, А

Температура, °С

78M05ST

+30

+5

1.2

-55…+125


          1.7. Розрахунок друкованої плати.


1.7.1. Розрахунок площі друкованої плати.

Визначаємо стандартні розміри елементів які застосовуються і зводимо дані в таблицю. 1.7.1.

         Розміри елементів та їх сумарна площа.                              Таблиця. 1.7.1.

Назви груп компонентів

Кіль-

кість N,шт

Довжина

L,мм

Ширина

В,мм

Діаметр

D,мм

Площа

S=L*В,мм2

Площа N елем.

S*N,мм2

Діаметр

виводів

d,мм

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

Резистори

постійні 0.25...0.5Вт

119

4.7

1.5


7.05

838.95


Резистори

постійні 1...2Вт

10

12

5


60

600

0.85

Резистори змінні

3

3.1

3.6


11.16

33.48


Конденсатори керамічні

37

4.7

1.5


7.05

260.85


Конденсатори електролітичні

14



16

200.96

2813


8



20

314

2512


Транзистори

17

25

40


1000

17000

1.0

Діоди малої потужності

8

4.7

1.5


7.05

56.4

0.6

Діоди великої потужності

16

15

20


300

4800

1.2

Стабілітрони

5

4.7

2


9.4

47


ІМС SMD

6

14

12


168

1008


IMC DIP

5

10

8


80

400

1.0

Дроселі

6

42

22


924

5544

1.2

Трансформатори сигнальні

3



15

176

530

1.0

Трансформатори живлення

2

70

60


4200

8400

1.2

Вставка плавка

4

30

10


300

1200

1.2

Реле

2

50

20


1000

2000

1.0

Розєми

6

20

10


200

1200

0.85


 

З таблиці. 1.7.1. отримали сумарну площину SСУМ=49233мм2, тоді визначаємо встановлювану площину всіх елементів на платі, якщо КВСТ=1,2



Визначаємо площину друкованої плати, яка необхідна для установки елементів з врахуванням відстані між елементами і виводами, а також для забезпечення нормальних теплових режимів роботи, по формулі якщо коефіцієнт використання, який враховує все вище сказане рівний


КВИК=0,9, тоді


Визначаємо площу, яка необхідна для розміщення елементів кріплення, що кріплять плату. Приймаємо, що плата кріпиться шістьма гвинтами М3, якщо під один болт відводиться площина SБ=100(мм2).

Визначаємо загальну величину площини плати

Виходячи із отриманої площини плати вибираємо ширину  плати

L=300(мм), тоді довжина  рівна

Приймаємо рівну В=216(мм).


1.7.2. Розрахунок параметрів металізованих отворів.

 Виходячи із діаметрів елементів які ставляться на плату визначимо діаметр металізованого отвору якщо товщина металізованого покриття при металізації гальванічним методом береться

mпок=0,05(мм).

і зазор між виводом і стінкою металізованого покриття береться

К=0,2(мм).

Елементи, які встановлюються мають шість діаметрів виводів:

d1=0,5(мм);

d2=0,6(мм);

d3=0,8(мм);

d4=0,85(мм);

d5=1(мм);

d6=1,2(мм);

тоді

Визначаємо параметри контактних площадок навколо металізованого отвору якщо контактні площадки виконуються в вигляді контактного кільця з обох сторін плати. Якщо необхідна радіальна величина рівна В=0,55, а технологічний коефіцієнт на похибку С=0,1, тоді:

Виходячи з отриманих розмірів металізованих отворів і діаметрів виводів елементів, вибираємо технологічно обумовлені розміри металізованих отворів і отримані дані записуємо в таблицю 2.



Розміри діаметрів отворів і контактних площадок.          Таблиця 1.7.2.   

N п/п

Діаметр виводу

елемента, мм

Розраховані дані

Стандартні

Діаметр отвору, мм

Діаметр площадки, мм

Діаметр отвору, мм

Діаметр площадки, мм

1

0,5

1

2,2

1

2,2

2

0,6

1,1

2,3

1

2,2

3

0,8

1,3

2,5

1,2

2,5

4

0,85

1,35

2,55

1,2

2,5

5

1

1,5

2,7

1,5

2,8

6

1,2

1,7

2,9

1,8

3

1.7.3. Розрахунок ширини друкованих провідників.

Ширина друкованих провідників визначається по максимальному струму для різних кіл схеми, якщо допустима густина струму JДОП=30(А/мм2), максимальний струм ІМ=8(А), а товщина металізованого покриття mПОК=0,05(мм), тоді ширина буде рівна

А відстань між провідниками по різниці потенціалів з врахуванням електричних характеристик вибраного метода виготовлення. В нашій схемі в основному максимально можлива напруга не перевищує 450(В), відстань між друкованими провідниками рівна 1,8(мм).

          1.8. Тепловий розрахунок.


Розрахуємо тепловий режим транзистора в імпульсному стабілізаторі напруги.

Повна потужність, що виділяється в транзисторі під час його роботи при перемиканні визначається за формулою:


                                                  Р=Рпер+Рвід+Ркер+Рв                                    (1.8.1)

                                            

де:     Р – повна потужність, що розсіюється;

 Рпер – втрати потужності при перемиканні;

Рвідкр– втрати на активному опорі відкритого транзистора;

          Ркер – втрати на керування в ланцюзі затвора;

Рв –  втрата потужності за рахунок витоку в закритому стані.

             Відразу можна відзначити, що втрати потужності, що викликані струмом витоку (Рв), мають дуже маленьке значення, тому ними можна зневажити. Також утрати, що виникають у ланцюзі керування теж мають дуже малі значення, тому формула приймає ви

                           Р=Рпер+Рвідкр.   ,                                                       (1.8.2)

де

                 Рвідкр=RDS(on)I2эф.                                                      (1.8.3)

                                                                                     (1.8.4)

          

         

Потужність Рпер визначається

                                                            (1.8.5)

де

           i=IН/n.                                                                             (1.8.5)


           IL=3/0,98=3,06(A).

тоді

Звідси

                  

перевіряємо тепловий режим роботи транзистора

                  ,                                           (1.8.6)

де

tнс – температура навколишнього середовища 35 С.

Rja – тепловий опір кристал-середовище  75 С/Ут.


 С.


За результатами пророблених розрахунків видно, що при використанні транзисторів у режимі ключів і при заданих параметрах роботи перетворювача, необхідно обов'язкове застосування охолоджувальних радіаторів та примусового обдуву. Радіатор вибираємо ребристого типу з [10] ст. 221.


1.9. Розрахунок надійності радіопристрою.


Надійність - це властивість виробу виконувати задані функції в певних умовах експлуатації при збереженні значень основних параметрів в заданих межах.

Надійність характеризується рядом розрахункових показників, найбільш важливими з яких є інтенсивність відмов, середня наробка до відмови, імовірність безвідмовної роботи.

Ймовірність безвідмовної роботи вказує на те, яка частина виробів із заданої їх кількості буде працювати безвідмовно протягом заданого часу tp. Для більшості радіоелектронних пристроїв ймовірність безвідмовної роботи залежить як від фізичних властивостей, так і від часу tp, протягом якого пристрій повинен працювати безвідмовно:


                                                 (1.11.1.)


Інтенсивністю відмов називають кількість відмов за одиницю часу, що приходиться на один виріб, який продовжує працювати в даний момент часу:


                                                       (1.11.2) 


Інтенсивність відмов апарата що, складається з m різних елементів, визначають по формулі:


                         (1.11.3)



Розрахунок надійності проводимо в такій послідовності:

1. Складаємо таблицю вихідних даних для розрахунку, визначаємо конструктивну характеристику компонентів, кількість компонентів по групах, розраховуємо інтенсивність відмов λі для кожної з груп компонентів:

 

                                             (1.11.4)

    

де:  m- кількість компонентів в одній групі.

Вихідні дані для розрахунку надійності зводимо в таблицю 1.11.1.

                                                                                             

                               

             Вихідні дані розрахунку надійності.                         Таблиця 1.11.1                                                                      

N

n/n

Назви груп компонентів

К-сть

1.

2.

3.

4.

5.

6.

1.



Резистори

недротяні постійні  0.125-0.5

недротяні постійні   1.0-2.0 

недротяні змінні


82

10

3


0.4

1.0

2.5


0.42

0.42

0.42


13.78H10-6

4.2H10-6

3.15H10-6

2.


 Конденсатори

керамічні

електролітичні


37

22


1.2

2.2


0.1

0.4


4.44H10-6

19,36H10-6

3.


Транзистори

 кремнієві


17


1.7


0.35


11.56H10-6

4.





Діоди

Випрямлячі

         малої потужності

         великої потужності

стабілітрони малої потужності

світлодіоди




8

16

5

3




0.7

5.0

2.4

2.8




0.81

0.81

0.81

0.81




4.54H10-6

64.8H10-6

9.72H10-6

6.8H10-6

5.

Інтегральні мікросхеми

напівпровідникові


6


0.01


1.0


0.06H10-6

6.

Дроселі

6

1.0

1.0

6.0H10-6

7.

Трансформатори

 сигнальні

 живлення


3

2


0.1

3.0


1.0

1.0


0.3H10-6

6.0H10-6

8.

Вставка плавка

4

0.5

1.0

2.0H10-6

9.

Тумблер

1

1.1

1.0

1.1H10-6

10.

Реле

2

1.7

0.35

1.19H10-6

11,

Клеми

2

1.0

1.0

2.0H10-6

12.

Друкована плата

1

0.1

0.1

0.01H10-6

11.

Пайки на платі

910

0.01

1.0

9.1H10-6

12.

Корпус приладу

1

1.0

1.0

1.0H10-6

13.

Провідники і пайки навісні

24

0.02

1.0

0.48H10-6

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.